반도체 박막 증착에는 정밀한 두께 제어와 반복성이 요구됩니다. ALD(원자층 증착)는 자체 제한적인 표면 반응을 이용하여 반복적인 증착 주기 동안 정확한 박막 성장을 가능하게 합니다.
깊은 형상과 3차원 표면에는 적절한 박막 코팅이 필요합니다. 원자층 증착(ALD)은 형상, 전구체 접근성 및 공정 조건에 따라 성능이 달라지는 균일한 코팅을 제공할 수 있습니다.
코팅 재료 및 공정은 적용 분야별 오염 한계를 충족해야 합니다. 도막 구성, 기판 호환성, 세척 절차 및 작동 조건 모두 적합성에 영향을 미칩니다.
반복적인 움직임은 정밀 접촉면을 손상시킬 수 있습니다. DLC 및 ta-C 코팅은 마찰과 마모 문제를 해결하는 데 도움을 주며, 코팅 두께와 표면 마감은 부품 공차에 맞게 선택됩니다.
원자층 증착(ALD)은 순차적이고 자기 제한적인 표면 반응을 기반으로 하는 박막 증착 공정입니다. 전구체와 반응물을 각각 노출시키고, 그 사이에 퍼지 단계를 거쳐 반복적인 사이클을 통해 박막을 형성합니다.
ALD 박막은 고유전율 유전체, 표면 보호막, 확산 방지막과 같은 반도체 응용 분야에 사용됩니다. ALD 코팅은 특정 장비 부품에 보호막을 제공하는 데에도 활용될 수 있습니다. 박막 재료, 형상 및 사용 조건에 따라 적절한 공정이 결정됩니다.
DLC 코팅은 정밀 반도체 장비 부품에 마찰이 적고 내마모성이 뛰어난 표면을 제공합니다. 적용 분야는 샤프트, 핀, 슬리브 및 슬라이딩 부품 등이 있습니다.
코팅 선택 시 접촉 조건, 기판 재질, 표면 마감, 치수 공차 및 작동 온도를 고려해야 합니다. 공정 화학 물질이나 플라즈마에 노출되는 부품은 추가적인 적합성 평가가 필요합니다.
ta-C는 높은 내마모성과 정밀한 표면 특성 제어가 요구되는 부품에 사용되는 경질 탄소 코팅입니다. 기판 지지력과 코팅 접착력이 적합한 정밀 접촉 응용 분야에 적합합니다.
ta-C 솔루션을 선택할 때는 코팅 두께, 잔류 응력, 표면 마감 및 부품 형상을 고려해야 합니다.
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